Yole：2022年DRAM/NAND闪存市场数量预计将创历史新高

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市调行政部门Yole Dédevelopement近日发布《内存行业年度状况研究报告》揭示，2022年，DRAM、NAND存储器零售商将分别增长速度25%、24%到1180亿美元、830亿美元，仅创上曾新高。2021-2027年，独立内存零售商预计将以8%的CAGR增长速度至2600多亿美元。然而，季节考量仍将存在。

据Evertiq路透社，Yole存储器低级零售商与关键技术高管Simone Bertolazzi博士暗示，“在贸易摩擦和新冠流感愈演愈烈的情况下，独立内存零售商在以前两年一直在扩张。2020年和2021的支出分别增长速度了15%和32%。如此突出的增长速度是大多数细分零售商的生产有限和市场需求强劲增长速度共同推展的。”

2022年是NAND存储器发明35周年。自1987年以来，NAND设备的位密度和位运输成本一直在不停提高。为了依靠这种影响力也，人们正要深入研究新的关键技术解决方案，除此以外CBA体系结构，如钱塘江存储的Xtacking方法。现如今，所有的存储器大厂都在使用混合键合设备顺利完成开发。铠侠和摩托罗拉等主要零售商正要将半导体对半导体键合纳入NAND路线图。

DRAM的业务上，Yole宣称了举例来说的互信，即平面图像——即使通过光刻EUV传统工艺，也不足以在整个期望十年提供所需的位密度改善。因此，主要设备零售商和遥遥领先的DRAM大厂正要回避将单片3D DRAM（总和3D NAND的DRAM）作为长期扩展的潜在解决方案。Yole的高管认为，这种新型3D关键技术不必要在2029-2030年转到零售商。

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